هدایت حرارتی نانو چند بعدی در ترانزیستور استوانه ای

قیمت: 45,000 تومان

دانلود رایگان مقاله

خرید ترجمه مقاله

عنوان فارسی

هدایت حرارتی نانو چند بعدی در ترانزیستور استوانه ای

عنوان لاتین

Multidimensional Nano Heat Conduction in Cylindrical Transistors

هدایت حرارتی غیرفوریه سه بعدی در ورودی محیط استوانه ای (SG) شامل اثرات نوسانات دیواره ی فونون، توسعه یافته و ارائه شده است. نتایح حاصل با داده ی موجود اعتبارسنجی شده است. مشخصات حرارتی مختلف دستگاه ها از حل مدل تاخیر فاز دوتایی همراه با شرایط مرزی پرش دمایی مرتبه دوم سه بعدی به دست آمده است. دریافتیم زمانی که قانون فوریه، اعتبارسنجی می شود، مدل حاضر قدر است تا انتقال حرارت نانو را در دستگاه های استوانه ای محاسبه کند. پس از تغییر دستگاه، نشان دادیم که دما نسبت به MOSFET و سیلیکون (دارای سه گیت) در عایق MOSFET پایداری بیثشتری دارد. نشان دادیم که شعاع استوانه ی SG، توزیع فلاکس حرارتی و دما را در دستگاه ترانزیستور تغییر می دهد.

3-D non-Fourier heat conduction in a cylindrical surrounding-gate (SG) MOSFET including phonon-wall collisions effects has been developed and presented. The obtained results are verified with the existent data. The various thermal characteristics of the device are obtained from the solution of the dual-phase-lag model coupled with a 3-D second-order temperature jump boundary condition. We find that, when the Fourier law ceases to be valid, the presentedmodel is able to predict the nano heat transfer in cylindrical devices. After switching off the device, we show that the temperature is more thermally stable then that given in MOSFET and tri-gate silicon on insulator-MOSFET. We show also that the radius of the cylindrical SG drastically changes the temperature and heat flux distributions within the transistor devices.