تحقیق در مورد مشخصات الکتریکی پلی سیلیکون روی ورقه های نازک عایقی

قیمت: 46,000 تومان

دانلود رایگان مقاله

خرید ترجمه مقاله

عنوان فارسی

تحقیق در مورد مشخصات الکتریکی پلی سیلیکون روی ورقه های نازک عایقی

عنوان لاتین

Research of the Electrical Characteristics Polysilicon on Insulator Thin Films

مشخصات الکتریکی پلی سیلیکون روی ورقه‏ های نازک عایقی با ضخامت 30-100 nm که بازه ی وسیعی از کاربردها در تجهیزات الکترونیکی را تعریف می‏کند، مطالعه شده است. ترانزیستورهای ورق نازک پلی سیلیکون با یک تکنولوژی ارزان استاندارد ساخته می‏شوند که تولید انبوه تجهیزات نیمه هادی را ممکن می‏سازد. پویایی موثر حامل و چگالی حالت در ورق نازک پلی سیلیکون رشد یافته با CVD روی زیرلایه SiO2/Si و وابستگی آن‏ها به شرایط ساخت واسط های-ناهمجور ‏ پلی Si/SiO2 و ضخامت ورقه تعیین شده است. نشان داده شده است که ترانزیستورهای ساخته شده به کمک ورقه‏های تست جریان نشتی پایین و نسبت ION/IOFF بالایی دارند.

The electrical properties of polysilicon on insulator thin films (with a thickness 30-100 nm), which define a wide range of applications in electronic devices, were studied. Polysilicon thin film transistors are manufactured by a standard cheap technology that makes possible a mass production of semiconductor devices. The effective carrier mobility and state density in polysilicon thin film grown by CVD on Si02/Si substrate and their dependence on the conditions of fabrication of PolySi/Si02 heterointerfaces and on the film thickness were determined. It is shown that transistors fabricated using test films provide low leakage current and high ION/IOFF ratio.