مدل تحلیلی برای طراحی اینورتر با استفاده از ترانزیستورهای اثر گرافن میدان دروازه شناور

قیمت: 43,000 تومان

دانلود رایگان مقاله

خرید ترجمه مقاله

عنوان فارسی

مدل تحلیلی برای طراحی اینورتر با استفاده از ترانزیستورهای اثر گرافن میدان دروازه شناور

عنوان لاتین

Analytical Model for Inverter Design using Floating Gate Graphene Field Effect Transistors

با محدودیت های فیزیکی ابعاد دستگاه، تمرکز زیادی بر توسعه تکنولوژی های CMOS صورت گرفته است. ترانزیستورهای مبتنی بر کربن، از جمله نانولوله های گرافن و کربن، به عنوان کاندیداهای بالقوه برای جایگزینی دستگاه های سنتی CMOS در نظر گرفته می شوند. در این مدل، ترانزیستورهای میدان مغناطیسی گرافن (F-GFET ها) بر ترانزیستورهای اثر میدان گرافن دوگانه (D-GFET ها) به دلیل توانایی آنها برای ارائه ولتاژ آستانه متغیر با استفاده از یک منبع تغذیه، ترجیح داده می شوند. در این مقاله، ما یک مدل تحلیلی جدید برای طراحی یک اینورتر مکمل با استفاده از ترانزیستورهای میدان مغناطیسی گرافنی (F-GFETs) با دو برابر شدن میدان دروازه شناور ارائه می دهیم. مدل پیشنهادی ما ویژگی های i-v ی F-GFET را برای همه مناطق عملیاتی با توجه به هدایت الکترون و حفره ، توصیف می کند. ویژگی های i-v بدست آمده از مدل ما با D-GFET مقایسه شده است. بر اساس مدل پیشنهادی مان، ما ویژگی های انتقال یک اینورتر مکمل را با استفاده از FGFET ها به دست می آوریم. اینورتر پیشنهاد شده ما ویژگی های انتقال بهتری را در مقايسه با مبدل های گزارش شده ی قبلی با استفاده از F-GFET و D-GFET های شیمیایی پیش بینی شده ارائه می دهد.

With device dimensions reaching their physical limits, there has been a tremendous focus on development of post CMOS technologies. Carbon based transistors, including graphene and carbon nanotubes, are seen as potential candidates to replace traditional CMOS devices. In that, floating gate graphene field effect transistors (F-GFETs) are preferred over dual gate graphene field effect transistors (D-GFETs) due to their ability to provide variable threshold voltage using a single power supply. In this paper, we present a novel analytical model for the design of a complementary inverter using floating gate bilayer graphene field-effect transistors (F-GFETs). Our proposed model describes the i-v characteristics of the F-GFET for all the regions of operation considering both hole and electron conduction. The i-v characteristics obtained using our model are compared with that of D-GFETs . Based on our proposed model, we obtain the transfer characteristics of a complementary inverter using FGFETs. Our proposed inverter gives better transfer characteristics when compared with previously reported inverters using either F-GFET or chemically doped D-GFETs.