تکنولوژیِ FinFET 14 نانومتریِ عملکرد بالا برای کاربر RF موبایل توان پایین
High Performance 14nm FinFET Technology for Low Power Mobile RF Application
مشخصات کلی
| سال انتشار | 2017 |
| کد مقاله | 2551 |
| فرمت فایل ترجمه | Word |
| تعداد صفحات ترجمه | 4 |
| نام مجله | Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers |
| نشریه | JSAP |
| درج جداول و شکل ها در ترجمه | انجام شده است |
| جداول داخل مقاله | ترجمه شده است |
چکیده فارسی
فرآیند RF-CMOS که از تکنولوژی FinFET 14 نانومتری استفاده می‌کند برای اولین بار معرفی شده و عملکرد RF آن مشخص شد. این RF 14 نانومتری در مقایسه با هم‌پای 28 نانومتریِ سطحی اش 63 درصد توان DC و 53 درصد منطقه‌ی قعال داشته و 3.8 برابر بهره‌ی ذاتی بالاتر دارد (gm/gds). بر اساس تکنولوژی 14 نانومتری، VNCAP با تراکم کلاهک بیشتر (8 درصد) و فاکتور Q بیشتر (23 درصد) نیز برای کاربرد موبایلی RF تأیید شده است.
چکیده لاتین
RF-CMOS process employing 14nm FinFET technology is introduced for the first time and its RF performance is characterized. Compared with its 28nm planar counterpart, the optimized 14nm RF FinFET consumes 63% of DC power with 53% of device active area and 3.8 times higher intrinsic gain (gm/gds). Based on the 14 nm technology, VNCAP with higher cap density (8%) and Q-factor (23%) is also verified for mobile RF application.
خرید و دانلود ترجمه این مقاله:
جهت خرید این مقاله ابتدا روی لینک زیر کلیک کنید، به صفحه ای وارد می شوید که باید نام و ایمیل خود را وارد کنید و پس از آن روی دکمه خرید و پرداخت کلیک نمایید، پس از پرداخت بلافاصله به سایت بازگشته و می توانید فایل خود را دانلود کنید، همچنین لینک دانلود به ایمیل شما نیز ارسال خواهد شد.
هیچ دیدگاهی برای این مقاله ثبت نشده است
دیدگاه ها