یک ترانزیستور اثر میدان نانوتراشه گرافن دولایه با یک گیت دو ماده ای

قیمت: 43,000 تومان

دانلود رایگان مقاله

خرید ترجمه مقاله

عنوان فارسی

یک ترانزیستور اثر میدان نانوتراشه گرافن دولایه با یک گیت دو ماده ای

عنوان لاتین

A bilayer graphene nanoribbon field-effect transistor with a dual-material gate

این مقاله، پیکره بندی گیت دو ماده ای (DMG) را روی یک FET نانوتراشه گرافن دولایه (BLGNRFET) معرفی می کند. مشخصات آن براساس تابع غیرتعادلی گرین (NEGF) بیان شده و با یک گیت تک ماده ای BLGNRFET قدیمی مقایسه می شود. نتایج نشان می دهند که یک نسبت 1به صفر (روشن-خاموش) تا 10، بعنوان نتیجه ای از هر دو جریان نشتی با اشباع بالا و پایین، دست یافتنی است. فواید ساختار DMG پیشنهادی ما عمدتاً با استفاده از افزایش شتاب اولیه حامل های ورودی در ناحیه کانال و حذف تأثیرات کوتاه کانال، دارای کارایی بالاتر انتقال حامل است. تنزل سد القایی درین، نوسان زیرسطح استانه و الکترون داغ، بعنوان پارامترهای کلیدی کانال کوتاه در BLGNRFET مبنی بر DMG بهبود داده شده است.

This paper introduces dual-material gate (DMG) configuration on a bilayer graphene nanoribbon field-effect transistor (BLGNRFET). Its device characteristics based on none-quilibrium Green's function (NEGF) are explored and compared with a conventional single-material gate BLGNRFET. Results reveal that an on-off ratio of up to 10 is achievable as a consequence of both higher saturation and lower leakage currents. The advantages of our proposed DMG structure mainly lie in higher carrier transport efficiency by means of enhancing initial acceleration of incoming carriers in the channel region and the suppression of short channel effects. Drain-induced barrier lowering, subthreshold swing and hot electron effect as the key short channel parameters have been improved in the DMG-based BLGNRFET.