طراحی مدار فین فت
FinFET Circuit Design
مشخصات کلی
| سال انتشار | 2011 |
| کد مقاله | 2547 |
| فرمت فایل ترجمه | Word |
| تعداد صفحات ترجمه | 43 |
| نام مجله | Nanoelectronic Circuit Design |
| نشریه | Springer Science |
| درج جداول و شکل ها در ترجمه | انجام شده است |
| جداول داخل مقاله | ترجمه شده است |
چکیده فارسی
ترانزیستورهای اثر میدانی- فت (فین فت ها) جایگزین های مناسبی برای سیماس حجمی هستند. فین فت ها دستگاه های دو گیتی هستند. این دو گیت از فین فت را می توان برای عملکردهای بالا به هم وصل کرد یا برای نشتی پایین تر یا کاهش تعداد ترانزیستور مستقلاً کنترل کرد. این امر منجر به طراحی ساختاری قوی می شود. این فصل مقدمه ای بر استایل های مختلف طراحی پ منطقی فین فت، طراحی های مدارهای جدید و ملاحظات طرح می باشد.
چکیده لاتین
Fin-type field-effect transistors (FinFETs) are promising substitutes for bulk CMOS at the nanoscale. FinFETs are double-gate devices. The two gates of a FinFET can either be shorted for higher perfomance or independently controlled for lower leakage or reduced transistor count. This gives rise to a rich design space. This chapter provides an introduction to various interesting FinFET logic design styles, novel circuit designs, and layout considerations.
خرید و دانلود ترجمه این مقاله:
جهت خرید این مقاله ابتدا روی لینک زیر کلیک کنید، به صفحه ای وارد می شوید که باید نام و ایمیل خود را وارد کنید و پس از آن روی دکمه خرید و پرداخت کلیک نمایید، پس از پرداخت بلافاصله به سایت بازگشته و می توانید فایل خود را دانلود کنید، همچنین لینک دانلود به ایمیل شما نیز ارسال خواهد شد.
هیچ دیدگاهی برای این مقاله ثبت نشده است
دیدگاه ها