تحلیل عملکرد ترانزیستورهای دولایه ای گرافن با استفاده از شبیه سازی های اتصال محکم
Performance analysis of Graphene Bilayer Transistors through tight-binding simulations
مشخصات کلی
| سال انتشار | 2009 |
| کد مقاله | 1638 |
| فرمت فایل ترجمه | Word |
| تعداد صفحات ترجمه | 12 |
| نام مجله | Performance analysis of Graphene Bilayer |
| نشریه | IEEE |
| درج جداول و شکل ها در ترجمه | انجام شده است |
| جداول داخل مقاله | ترجمه شده است |
چکیده فارسی
یک مطالعه شبیه سازی از یک FET گرافن دو لایه ای با شکاف قابل تنظیم و گیت های مستقل با استفاده از حل عددی معادلات پوآسون و شرودینگر با فرمول بندی NEGF انجام می شود. میدان عمودی اعمالی یک شکاف انرژی فراهم می کند اما اندازه ان برای از بین بردن تونل زنی باند به باند و نیز برای بدست آرودن نسبت قابل قبولی از برای عملکرد CMOS کافی نیست.
چکیده لاتین
A simulation study of a tunable-gap bilayer graphene FET with independent gates is performed with a numerical solver based on the self-consistent solution of the Poisson and Schr¨odinger equations within the NEGF formalism. The applied vertical field manages to induce an energy gap, but its value is not large enough to suppress band-to-band tunneling and to obtain acceptable Ion/Ioff ratio for CMOS device operation
خرید و دانلود ترجمه این مقاله:
جهت خرید این مقاله ابتدا روی لینک زیر کلیک کنید، به صفحه ای وارد می شوید که باید نام و ایمیل خود را وارد کنید و پس از آن روی دکمه خرید و پرداخت کلیک نمایید، پس از پرداخت بلافاصله به سایت بازگشته و می توانید فایل خود را دانلود کنید، همچنین لینک دانلود به ایمیل شما نیز ارسال خواهد شد.
هیچ دیدگاهی برای این مقاله ثبت نشده است
دیدگاه ها