مقایسه عملکرد نانوریبون های گرافن FET با تماسهای شوتکی و منابع دوپ شده

قیمت: 39,000 تومان

دانلود رایگان مقاله

خرید ترجمه مقاله

عنوان فارسی

مقایسه عملکرد نانوریبون های گرافن FET با تماسهای شوتکی و منابع دوپ شده

عنوان لاتین

Performance Comparison of Graphene Nanoribbon FETs With Schottky Contacts and Doped Reservoirs

ما یک مطالعه شبیه سازی سه بعدی اتمی از عملکرد ترانزیستورهای مانع اثر میدانی شوتکی (SBFETs) نانوریبون گرافن (GNR) و ترانزیستورهای منابع پیش بینی شده (MOSFETs) به وسیله محلول خود پایدار معادلات پواسون و شرودینگر درون صورت گرایی تابع یونانی غیرمتعادل (NEGF) ارائه می کنیم. MOSFET ایده آل عملکرد الکتریکی کمی بهتری برای کاربردهای دیجیتال و تراهرتز ارائه می کنند. تاثیر غیرایده ال روی عملکرد دستگاه بررسی می شود و وجود محل خالی واحد، سختی لبه، و ناخالصی های یونی در کانال مد نظر قرار می گیرد. در کل، MOSFET ویژگیهای قویتری نسبت به SBFETs نشان می دهد. سختی لبه و نقص محل خالی واحد به صورت عمده ای روی عملکرد هر دو نوع دستگاه تاثیر دارد.

We present an atomistic 3-D simulation study of the performance of graphene-nanoribbon (GNR) Schottkybarrier field-effect transistors (SBFETs) and transistors with doped reservoirs (MOSFETs) by means of the self-consistent solution of the Poisson and Schrödinger equations within the nonequilibrium Green’s function (NEGF) formalism. IdealMOSFETs show slightly better electrical performance for both digital and terahertz applications. The impact of nonidealities on device performance has been investigated, taking into account the presence of single vacancy, edge roughness, and ionized impurities along the channel. In general, MOSFETs show more robust characteristics than SBFETs. Edge roughness and single-vacancy defect largely affect the performance of both device types