مقاومت ويژه الكتريكي لايه هاي نازك اكسيد مس فرآهم شده بوسيله sputtering غيرفعال مگنترون

قیمت: 38,000 تومان

دانلود رایگان مقاله

خرید ترجمه مقاله

عنوان فارسی

مقاومت ويژه الكتريكي لايه هاي نازك اكسيد مس فرآهم شده بوسيله sputtering غيرفعال مگنترون

عنوان لاتین

Electrical resistivity of copper oxide thin films prepared by reactive magnetron sputtering

هدف: بررسي تاثير تغيير توان .r.f و مقادير جريان اكسيژن در طول رسوب در خصوصيات لايه هاي نازك اكسيد مس فرآهم شده با sputteringغيرفعال مگنترون طرح/ روش شناسي/ وسيله: لايه ها بوسيله AFM، XPS، اندازه گيري مقاومت الكتريكي ويژه چهار نقطه ميله و طيف سنجي فوتون توصيف شده اند. يافته ها: مقاومت الكتريكي ورقه لايه ها با تغيير بزرگتر از 4.5*〖10〗^5 ohms⁄square براي لايه هاي فرآهم شده در توان r.f. 200 وات به پاييني 20 ohms⁄square براي لايه هاي آماده شده در 8000 وات پيدا شده است. تغيير در مقاومت ويژه الكتريكي لايه ها با شرايط رسوب از لحاظ تغييرات استوكيومتري شامل اختلاف يونهاي مس يا اكسيژن و نقوص ذاتي بيان شده است. كاربردهاي تجربي: تشكيل اين نقوص به ضريب چسبندگي، مقدار نوكلئونها و جابجايي از برخورد گونه هاي مس و اكسيژن در زيرلايه در طول رسوب بستگي دارد. اصليت/ مقدار: اي اطلاعات زمينه ساز توسعه موفق لايه هاي اكسيد مس براي پنجره هاي خورشيدي و ديگر كاربردهاي نيمه رسانا شامل سنسورهاي گازي فرض شده است.

Purpose: Investigation the effect of varying r.f. power and oxygen flow rates during deposition on the electrical properties of copper oxide thin films prepared by reactive magnetron sputtering Design/methodology/approach: The films were characterised by AFM, XPS, four point electrical resistivity probe measurements and spectrophotometry. Findings: The electrical sheet resistance of the films was found to vary from greater than 4 x 105 ohms/square for films prepared at 200W r.f. power to as low as 20 ohms/square for films prepared at 800W r.f. power. The variation in the electrical resistivity of the films with deposition conditions has been explained in terms of stoichiometric changes induced by copper or oxygen ion vacancies and neutral defects. Practical implications: The formation of these defects depends on the sticking coefficient, nucleation rates and the migration of impinging copper and oxygen species on the substrate during deposition. Originality/value: This information is expected to underlie the successful development of copper oxide films for solar windows and other semi-conductor applications including gas sensors.