امکان FET های گرافن دولایه با شکاف قابل تنظیم
On the Possibility of Tunable-Gap Bilayer Graphene FET
مشخصات کلی
| سال انتشار | 2009 |
| کد مقاله | 1046 |
| فرمت فایل ترجمه | Word |
| تعداد صفحات ترجمه | 9 |
| نام مجله | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS |
| نشریه | IEEE |
| درج جداول و شکل ها در ترجمه | انجام شده است |
| جداول داخل مقاله | ترجمه شده است |
چکیده فارسی
در این مقاله، پتانسیل دستگاه از یک FET گرافن دولایه (BG) با شکاف قابل تنظیم که از امکان باز شدن یک شکاف در BG استفاده می کند، با اعمال یک میدان الکتریکی عمودی از طریق عملیات گیت مستقل، بهره برداری شد. رفتار دستگاه نیز که از شبیه سازی های اتمی استفاده می کند، بر اساس راه حل معادلات شرودینگر و پوآسون در فرمالیسم تابع گرین نامتعادل، ارزیابی می شود. نشان داده می شود که این ایده کار می کند اما روزنه شکاف باند به اندازه ای قوی نیست که تونل زنی باند به باند را جهت بدست آوردن یک نسبت به اندازه کافی بزرگ از برای عملیات دستگاه CMOS، حذف کند.
چکیده لاتین
We explore the device potential of a tunable-gap bilayer graphene (BG) FET exploiting the possibility of opening a bandgap in BG by applying a vertical electric field via independent gate operation. We evaluate device behavior using atomistic simulations based on the self-consistent solution of the Poisson and Schrödinger equations within the nonequilibrium Green’s function formalism. We show that the concept works, but the bandgap opening is not strong enough to suppress band-to-band tunneling in order to obtain a sufficiently large Ion/Ioff ratio for CMOS device operation
خرید و دانلود ترجمه این مقاله:
جهت خرید این مقاله ابتدا روی لینک زیر کلیک کنید، به صفحه ای وارد می شوید که باید نام و ایمیل خود را وارد کنید و پس از آن روی دکمه خرید و پرداخت کلیک نمایید، پس از پرداخت بلافاصله به سایت بازگشته و می توانید فایل خود را دانلود کنید، همچنین لینک دانلود به ایمیل شما نیز ارسال خواهد شد.
هیچ دیدگاهی برای این مقاله ثبت نشده است
دیدگاه ها